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多元弧等离子体全方位离子注入与沉积的表面处理装置

时间:2019-01-11 18:07来源:和记娱乐官网作者:和记娱乐点击:

  本实用新型公开了一种多元弧等离子体全方位离子注入与沉积的表面处理装置,包括:真空室、大功率真空阴极弧等离子体源、大功率空心阴极弧等离子体源和热灯丝离子源,大功率真空阴极弧等离子体源和热灯丝离子源分别对称安装于所述真空室的第一、二端口处,大功率空心阴极弧等离子体源设置在所述真空室的第三端口处,所述真空室底部还安装有可调转速的旋转样品台。本实用新型拥有三个等离子体源,实现在同一装置中引入多元弧等离子体,使得金属、气体离子同存,提高反应效率,能获得理想化学配比。

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